1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法.pdfVIP

  • 5
  • 0
  • 约1.69万字
  • 约 17页
  • 2023-05-10 发布于四川
  • 举报

绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法.pdf

    本发明实施例提供一种绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法，属于芯片技术领域。所述绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法包括：在第一类材料衬底的正面形成所述IGBT的基础结构；在所述基础结构表面沉积第二类材料薄膜；在所述第二类材料薄膜表面沉积层间介质层薄膜，以形成待刻蚀结构；通过接触孔刻蚀工艺，并通过预选的对第三类材料和第二类材料具有高选择比的气体、及预选的对第二类材料和第一类材料具有高选择比的气体，对所述待刻蚀结构进行接触孔刻蚀，形成接触孔槽。本发明实施例可以提高单晶片内各区域的接触孔刻蚀深度均一

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114512537 A (43)申请公布日 2022.05.17 (21)申请号 202210411916.0 (22)申请日 2022.04.19 (71)申请人 北京芯可鉴科技有限

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >