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- 2023-05-10 发布于四川
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本发明公开了一种高光效发光二极管器件结构及其制作方法。所述高光效发光二极管器件结构包括外延层，所述外延层上依次叠设有导电的第一反射层和保护层；所述保护层的底端面和第一反射层的顶端面完全重合，所述外延层上还覆设有绝缘层，所述绝缘层和第一反射层两者在所述外延层的正投影构成互补图形，并且至少是所述第一反射层的侧壁与所述绝缘层的相应侧壁重合。本发明通过采用第一反射层与其保护层为相同形状和面积，且第一反射层与绝缘层为互补图形结构的设计，可以有效消除因Ag迁移等带来的器件可靠性差等问题，克服因低反射率保护层
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116072793 A
(43)申请公布日 2023.05.05
(21)申请号 202111285852.6 H01L 33/00 (2010.01)
(22)申请日 2021.11.
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