半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-05-10 发布于四川
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本发明提供一种半导体结构及其形成方法,该半导体结构包括:多个校正参考部件,位于基板上且沿第一方向间隔设置;以及多行第一主动部件及多行第二主动部件,分别设置于所述校正参考部件的两侧,其中每行第一主动部件在第二方向上彼此间隔设置且每行第一主动部件包括沿第一方向间隔设置的多个第一主动部件,其中第一方向不平行于第二方向,每行第二主动部件在第二方向上彼此间隔设置且每行第二主动部件行包括沿第一方向间隔设置的多个第二主动部件,其中校正参考部件、第一主动部件及第二主动部件设置于同一层且是基板的一部分。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116072653 A (43)申请公布日 2023.05.05 (21)申请号 202111286650.3 (22)申请日 2021.11.02 (71)申请人 华邦电子股份有限公司 地址 中国

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