降低小尺寸控制栅结构栅电阻的金属布线方法.pdfVIP

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2023-05-10 发布于四川
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降低小尺寸控制栅结构栅电阻的金属布线方法.pdf

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本发明提供一种降低小尺寸控制栅结构栅电阻的金属布线方法，在栅结构上每隔一定的间距通过重掺杂多晶硅将相邻两个控制栅槽内的栅电极相连接，在栅连接部位打孔引出金属，为第一层金属；在源区上打孔引出金属，为第二层金属；两层金属之间由介质层隔开，通过第一层金属在Y方向上与栅电极的多点接触，解决Y方向上栅电极路径过长带来的栅电阻增大问题，相邻的连接槽与槽中栅电极的重掺杂多晶硅，于Y方向上的间距可以任意调节，以达到不同的栅电阻需求，大大提高了设计灵活性，由此可利用双层金属，得到低栅电阻的小尺寸控制栅结构的金属氧

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111540727 A (43)申请公布日 2020.08.14 (21)申请号 20201