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- 2023-05-10 发布于四川
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本公开提供一种电容耦合等离子体处理装置,包括壳体、第一电极、第二电极、第一射频偏压源和第二射频偏压源,壳体具有容置腔,第一电极和第二电极均位于容置腔中且至少部分相对设置,待处理件位于第一电极朝向第二电极的一侧;第一射频偏压源与第一电极电连接,第二射频偏压源与第二电极电连接,第一射频偏压源和第二射频偏压源的频率相等,且间隔半个周期。第二射频偏压源可以阻碍电子朝向第二电极运动,阻碍第二电极附近的电子鞘的形成,以降低电子鞘对阳离子的吸引,提高阳离子朝向第一电极的运动速度。因此,本公开提供的电容耦合等离
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116053109 A
(43)申请公布日 2023.05.02
(21)申请号 202310275919.0
(22)申请日 2023.03.16
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
地址 23
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