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一种提高LTO膜厚均匀性的APCVD成膜加工工艺.pdfVIP

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  • 2023-05-10 发布于四川
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一种提高LTO膜厚均匀性的APCVD成膜加工工艺.pdf

    本发明公开了一种提高LTO膜厚均匀性的APCVD成膜加工工艺，其加工工艺包括以下步骤：S1、首先需要将APCVD设备管道进行实时连接组合，并且在APCVD设备内通入一定量的硅烷与氧气，通过进行加热发生化学反应形成二氧化硅薄膜，通过对反应区域温度的实时控制，可以有效的影响不同位置长膜速率，进而起到改善薄膜均匀性的作用，S2、然后由于设备本身冷却水分布以及设备构造设计的原因，因此反应腔体内中部实际温度最高，并且温度设置需低于两侧，但是由于其处于排气出口位置，其实际的温度需高于两侧的温度，有效的实现了

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114517290 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202210071188.3 (22)申请日 2022.01.21 (71)申请人 中环领先半导体材料有限公司 地址

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