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- 2023-05-10 发布于四川
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本发明涉及一种用于产生电子束(8)的电子源(2)，其具有由碳化硅衬底(5)外延生长的以石墨烯层(6,12)形式的阴极(1)和阳极(4)。本发明适用于小型化高能聚焦电子束源的整体制备，包括其用作片上X射线源。所有元件都可以由单个碳化硅芯片或在单个碳化硅芯片上制备。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114521282 A
(43)申请公布日 2022.05.20
(21)申请号 202080067855.X (74)专利代理机构 深圳永慧知识产权代理事务
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