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- 2023-05-10 发布于四川
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本公开涉及半导体器件及方法。在一个实施例中，一种器件包括：沟道区域；栅极电介质层，位于沟道区域上；第一功函数调整层，位于栅极电介质层上，第一功函数调整层包括n型功函数金属；阻挡层，位于第一功函数调整层上；第二功函数调整层，位于阻挡层上，第二功函数调整层包括p型功函数金属，该p型功函数金属与n型功函数金属不同；以及填充层，位于第二功函数调整层上。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114520229 A
(43)申请公布日 2022.05.20
(21)申请号 202110460017.5
(22)申请日 2021.04.27
(30)优先权数据
63/137,326 2021
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