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- 2023-05-10 发布于四川
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本公开涉及一种半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法。一种半导体存储器装置包括：栅极层叠结构；沟道层，该沟道层在垂直方向上穿过栅极层叠结构；存储器层，该存储器层设置在沟道层和栅极层叠结构之间；虚设层叠结构，该虚设层叠结构朝向栅极层叠结构延伸；第一虚设图案，该第一虚设图案在垂直方向上穿过虚设层叠结构；以及间隙，该间隙布置在第一虚设图案中。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114520234 A
(43)申请公布日 2022.05.20
(21)申请号 202110747216.4
(22)申请日 2021.07.01
(30)优先权数据
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