原创力文档- 13
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- 2023-05-10 发布于四川
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本发明公开一种高抗辐射加固VDMOS栅氧反向击穿制备方法，属于MOSFET制备领域。提供衬底，在其表面形成外延层；按照P阱光罩的图形制作形成P阱形貌；制作源端和体接触端；在表面生长栅氧氧化SiO2形成栅氧氧化层；在栅氧氧化层表面注入Si粒子；进行多晶硅淀积、光刻和腐蚀，形成多晶栅控制端。本发明在栅氧上进行Si粒子注入和多晶氧化工艺，使有更多的Si粒子与多晶硅形成Si‑Si键，通过形成Si‑Si键可以更好提升上界面的稳定性，消除悬挂键，减少由于上界面缺陷导致氧化层反向电场强度不足问题，从而了消除芯
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114520150 A
(43)申请公布日 2022.05.20
(21)申请号 202210142934.3 H01L 29/423 (2006.01)
(22)申请日 2022.02
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