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两步化学气相沉积法生长稀氮化GaNSb纳米线.pdfVIP

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  • 2023-05-10 发布于四川
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两步化学气相沉积法生长稀氮化GaNSb纳米线.pdf

    本发明提供一种两步化学气相沉积法生长稀氮化GaNSb纳米线。该方法包括：在双区固相源化学气相沉积系统的源区装载锑化镓、生长区装载催化剂基片；向源区和生长区中通入氢气，并分别加热至第一预设温度；源区的第一预设温度高出生长区的第一预设温度100～260℃；接着向源区和生长区中通入氨气，并分别加热至第二预设温度；源区的第二预设温度高出源区的第一预设温度20～150℃；源区的第二预设温度高出生长区的第二预设温度220～320℃；待源区和生长区达到各自第二预设温度后继续保温反应，然后冷却降温，于生长区得到

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114516658 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202011291234.8 (22)申请日 2020.11.18 (71)申请人 香港城市大学深圳研究院 地址 51

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