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- 2023-05-10 发布于四川
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本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种金属互连结构及其制造方法，包括：半导体衬底；低K介电质层，形成在所述半导体衬底上；金属互连层，形成在所述低K介电质层内；其中，所述金属互连层与所述低K介电质层的邻接处形成有侧墙。在对铜互连层进行平坦化处理时，氮化硅侧墙可以防止平坦化处理对低K介电质层造成的损坏。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114520187 A
(43)申请公布日 2022.05.20
(21)申请号 202011303666.6
(22)申请日 2020.11.19
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
地址 10
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