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- 2023-05-10 发布于四川
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本发明涉及半导体芯片焊接技术领域,尤其是一种用于半导体芯片焊接的密封腔体及真空共晶炉,包括:上腔体;下腔体,与上腔体相对设置,所述上腔体和下腔体在闭合时彼此之间形成密封腔;载板组件,配置在密封腔内,用于放置芯片,载板组件的上方和下方均配置有用于对其辐射加热的加热组件;以及冷却组件,具有用于通入冷却液对载板组件进行冷却的冷却管,本发明采用在载板组件的上下分别设置加热组件,对其进行非接触式辐射加热,给芯片和载板提供了高效快捷的加热及均匀的温度分布,同时采用冷却管嵌入载板组件,直接接触冷却,使芯片冷却
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114520196 A
(43)申请公布日 2022.05.20
(21)申请号 202210227790.1 H01L 23/367 (2006.01)
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