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套刻误差补偿方法及光刻曝光方法.pdfVIP

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  • 2023-05-10 发布于四川
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套刻误差补偿方法及光刻曝光方法.pdf

    本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种套刻误差补偿方法及光刻曝光的方法，包括以下步骤：提供一晶圆，晶圆具有对准标记；装载所述晶圆，测量对准标记的第一位置；将晶圆翻转180°，测量对准标记的第二位置，并计算第一位置与第二位置的位置误差；计算对准标记的补偿量，然后进行补偿。与现有技术相比，本申请实施例将机台误差(Tool‑InducedShift，TIS)补偿方法应用到对准标记的误差补偿，以解决对准标记对准偏差的问题。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114518693 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202011308202.4 (22)申请日 2020.11.19 (71)申请人 中国科学院微电子研究所 地址 10

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