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一种光寻址-突触型神经递质传感器.pdfVIP

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  • 2023-05-10 发布于四川
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一种光寻址-突触型神经递质传感器.pdf

    本发明提供了一种光寻址‑突触(光突触)型神经递质传感器的结构设计及制备方法，该光突触型神经递质传感器主要包含突触区和光控神经递质敏感区两部分。其中突触区包括底电极层、在底电极层上形成的神经仿生层、在神经仿生层上形成的顶电极层；光控神经递质敏感区与突触区相邻，该区域包括光闸层，在光闸层表面修饰的神经递质受体蛋白，滴加在该区域的电解质溶液以及悬浮于其中的铂电极。该发明采用全液相剥离、旋涂和微电子打印技术制备，是一种低成本、高通量的新型神经形态生化传感器件，将为人工突触器件在脑科学以及仿生视觉传感系统

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114518391 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202210159536.2 (22)申请日 2022.02.22 (71)申请人 南开大学 地址 300350 天津

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