用于产生用于硬掩模和其他图案化应用的高密度、氮掺杂碳膜的方法.pdfVIP

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2023-05-10 发布于四川
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用于产生用于硬掩模和其他图案化应用的高密度、氮掺杂碳膜的方法.pdf

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本公开内容的实施例总的来说涉及制造集成电路。更特定地，本文描述的实施例提供了用于沉积用于图案化应用的氮掺杂的类金刚石碳膜的技术。在一个或多个实施例中，一种用于处理基板的方法包括：使含有烃化合物和氮掺杂剂化合物的沉积气体流入在静电卡盘上定位有基板的工艺腔室的处理体积中；和通过将第一RF偏压施加到静电卡盘来在基板处或上方产生等离子体，以在基板上沉积氮掺杂的类金刚石碳膜。氮掺杂的类金刚石碳膜具有大于1.5g/cc的密度和约‑20MPa至小于‑600MPa的压缩应力。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116075920 A (43)申请公布日 2023.05.05 (21)申请号 202180042770.0 (74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公