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半导体结构的制造方法.pdfVIP

半导体结构的制造方法.pdf

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    本发明公开一种半导体结构的制造方法，包括在一基底上形成一栅极结构，接着进行一沉积制作工艺以形成一氮化硅层覆盖该基底及该栅极结构，对该氮化硅层进行一原位退火制作工艺，以及于该原位退火制作工艺后，对该氮化硅层进行一各向异性蚀刻制作工艺，以在该栅极结构的一侧壁上形成一间隙壁。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116072528 A (43)申请公布日 2023.05.05 (21)申请号 202111293901.0 (22)申请日 2021.11.03 (71)申请人 联芯集成电路制造(厦门)有限公司

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