场效应晶体管的建模电路以及设计集成电路的方法.pdfVIP

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2023-05-10 发布于四川
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场效应晶体管的建模电路以及设计集成电路的方法.pdf

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一种场效应晶体管的建模电路包括第一场效应晶体管、第一双极晶体管、第二双极晶体管和衬底电阻器。所述第一双极晶体管具有连接到与所述第一场效应晶体管的第一电极对应的第一节点的集电极、连接到与所述第一场效应晶体管的第二电极对应的第二节点的发射极、以及基极。所述第二双极晶体管具有连接到所述第二节点的集电极、连接到所述第一节点的发射极以及连接到所述第一双极晶体管的所述基极的基极。所述衬底电阻器连接在所述第一双极晶体管的所述基极和所述第二双极晶体管的所述基极与其上形成有所述第一场效应晶体管的半导体衬底的第一表

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114548011 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202111265648.8 (22)申请日 2021.10.28 (30)优先权数据 10-2020-0160657