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本发明公开了一种自带光源的光电忆阻器及其制备方法,包括提供光源的至少一个LED、一个忆阻器本体,及填充于LED与忆阻器本体间的绝缘层;所述LED与忆阻器本体垂直集成,且相邻的LED两两对准、忆阻器本体与相邻的LED对准。LED结构包括衬底、缓冲层、N型层、发光层、P型层、N电极和P电极;忆阻器本体结构包括底电极层、介质层、顶电极层。LED制备方法为依次在衬底上生长缓冲层、N型层、发光层、P型层、N电极和P电极,然后进行填充、抛光,最后依次生长忆阻器的底电极层、介质层和顶电极层。本发明的自带光源的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114512599 A
(43)申请公布日 2022.05.17
(21)申请号 202210052052.8
(22)申请日 2022.01.18
(71)申请人 中国科学院宁波材料
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