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一种石墨烯基纳米间隙场发射晶体管及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-05-10 发布于四川
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一种石墨烯基纳米间隙场发射晶体管及其制作方法.pdf

    本发明提供一种石墨烯基纳米间隙场发射晶体管及其制作方法，其以石墨烯薄膜作为阴极电子发射材料，金属作为阳极电子接收材料，石墨烯与金属阳极之间间隔真空纳米间隙，平行于石墨烯薄膜的方向上外加调控栅极。将阴极和阳极所加电压在场发射开启点附近，通过调控栅极所加电压来调控石墨烯的费米能级的高低，因为发射电流受材料费米能级影响非常大，从而实现场发射电流的开启与关断。同时，由于石墨烯特殊的能带结构，载流子的弛豫时间非常短。电子阴极到阳极的电子输运模式以弹道输运为主，等效迁移率极高。因此本发明具有极高的频率特性。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112670347 A (43)申请公布日 2021.04.16 (21)申请号 202110034237.1 H01L 21/336 (2006.01) (22)申请日

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