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半导体结构的制造方法及半导体结构.pdfVIP

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  • 2023-05-10 发布于四川
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半导体结构的制造方法及半导体结构.pdf

    本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，制造方法包括：提供基底，在所述基底上形成依次层叠的第一隔离层、第一稳定层、第二隔离层及第二稳定层；形成贯穿所述第一隔离层、所述第一稳定层、所述第二隔离层及所述第二稳定层的通孔，在所述通孔的侧壁及底部形成下电极；去除部分厚度的所述第二稳定层，露出部分所述下电极；在露出的所述下电极侧壁形成掩膜层，且相邻所述下电极侧壁的所述掩膜层相抵接；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述第二稳定层，形成第一开口。本发明实施例能够简化生产工艺，提高电容的质量。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114520195 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202011305915.5 (22)申请日 2020.11.19 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 230

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