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一种在SiC衬底上形成InN薄膜的方法.pdfVIP

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  • 2023-05-10 发布于四川
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一种在SiC衬底上形成InN薄膜的方法.pdf

    本发明涉及一种在SiC衬底上形成InN薄膜的方法。该方法采用化学性质和物理性质相对稳定的SiC作为衬底，并在其表面形成SiN缓冲层后，通过电子回旋共振‑等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR‑PEMOCVD)在较低温度下形成InN薄膜，所形成的InN薄膜不存在杂质离子混入，质量较高。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114517288 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202111482401.1 C23C 16/448 (2006.01)

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