半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-10 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括用于形成第一器件的第一器件区和用于形成第二器件的第二器件区，第一器件的沟道长度大于第二器件的沟道长度；在基底上形成多晶硅栅极层，第一器件区的多晶硅栅极层包括底部多晶硅栅极层和凸出于底部多晶硅栅极层的多个顶部多晶硅栅极层；在多晶硅栅极层侧部的基底上形成层间介质层，层间介质层还覆盖底部多晶硅栅极层，并露出第二器件区的多晶硅栅极层顶部；去除第二器件区的多晶硅栅极层形成栅极开口；在栅极开口中形成金属栅极层。本发明在第一器件区形成指状的多晶硅栅极层，

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114551562 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202011332682.8 (22)申请日 2020.11.24 (71)申请人中芯北方集成电路制造（北京）有限