1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

半导体器件和方法.pdfVIP

  • 3
  • 0
  • 约3.9万字
  • 约 42页
  • 2023-05-10 发布于四川
  • 举报

半导体器件和方法.pdf

    本公开涉及半导体器件和方法。在实施例中，一种方法包括：形成从半导体衬底延伸的第一鳍和第二鳍；沿着第一鳍的第一侧壁、第二鳍的第二侧壁和半导体衬底的顶表面沉积衬里层，衬里层由氮浓度在5％至30％的范围内的氮氧化硅形成；在衬里层上沉积填充材料，该填充材料由硅形成；对衬里层和填充材料进行退火，退火将填充材料转换为氧化硅，退火将衬里层的氮浓度降低到1％至5％的范围；以及使衬里层和填充材料凹陷以在第一鳍和第二鳍之间形成隔离区域。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114520184 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202110270577.4 (22)申请日 2021.03.12 (30)优先权数据

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >