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- 2023-05-10 发布于四川
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一种钝化接触电池及其制备工艺，属于太阳能电池领域。钝化接触电池的制备工艺，其背面场钝化结构的制备包括：在硅片的背面生长隧穿氧化层；在隧穿氧化层的表面生长本征碳化硅层；在本征碳化硅层表面生长磷掺杂碳化硅层；以及退火处理，以使磷掺杂碳化硅层中的磷与碳化硅形成共价键。钝化接触电池能够通过上述制备工艺制得，其包括硅片，以及在所述硅片的背面依次层叠的隧穿氧化层、本征碳化硅层和磷掺杂碳化硅层。该制备工艺和电池能有效缓解PECVD沉积得到的背面场钝化结构爆膜严重的问题；还能提高背面耐银浆腐蚀能力，从而减少金属
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114520276 A
(43)申请公布日 2022.05.20
(21)申请号 202210141493.5
(22)申请日 2022.02.16
(71)申请人 通威太阳能（眉山）有限公司
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