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- 2023-05-10 发布于四川
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本发明涉及半导体加工领域，公开了一种抑制双极型退化的碳化硅薄膜外延方法、碳化硅外延片，包括：提供碳化硅衬底，所述碳化硅衬底具有基平面位错；通过化学气相沉积法在所述碳化硅衬底表面形成碳化硅外延层，化学气相沉积法的反应气体包括生长气源和掺杂锗源气体，改变碳化硅外延薄膜中锗杂质的浓度，并促使所述锗杂质替代碳化硅外延层中形成的不全位错核心处硅原子，使锗杂质钉扎硅核心不全位错。本发明在碳化硅薄膜外延过程中掺入锗杂质，由于硅核心处的结构畸变，锗杂质会优先替代硅核心不全位错处的硅原子，通过将锗杂质钉扎基平面位
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114520143 A
(43)申请公布日 2022.05.20
(21)申请号 202210413855.1
(22)申请日 2022.04.20
(71)申请人 浙江大学杭州国际科创中心
地址 3
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