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本公开提供了一种提高制备效率的MOCVD外延设备及其使用方法,属于外延生长技术领域。在MOCVD外延设备的安装壳体内包括第一生长反应腔与第一外延托盘的反应腔部件可以保证衬底上外延材料的正常生长。增加的处理腔部件、第一隔离部件与第一转移部件,衬底的处理位于同一MOCVD外延设备,不用在设备与设备之间转移,也不用长距离移动衬底。提高衬底上生长得到的外延层的质量以及外延片整体的制备效率。并且控制第一生长反应腔的最大高度小于外延材料处理腔的最大高度,避免第一生长反应腔内的材料进入外延材料处理腔内污染衬底
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114540946 A
(43)申请公布日 2022.05.27
(21)申请号 202111638656.2
(22)申请日 2021.12.29
(71)申请人 华灿光电(浙江)有限公司
地址 3
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