原创力文档- 2
- 0
- 约2.44万字
- 约 28页
- 2023-05-10 发布于四川
- 举报
一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：衬底，衬底上具有介质层，衬底包括第一区；第一开口，位于第一区的介质层内；第一功函数层，位于第一开口的底部和侧壁上，第一功函数层的顶部表面低于介质层的顶部表面；第二功函数层和第三功函数层，位于第一开口中的第一功函数层表面以及第一开口侧壁上，第二功函数层和第三功函数层的顶部表面低于介质层的顶部表面且高于第一功函数层的顶部表面；第四功函数层，位于第一开口中的第三功函数层表面以及第一开口侧壁上；栅极层，位于所述第一开口内。本发明实施例提供的半导体结构的性能
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114520183 A
(43)申请公布日 2022.05.20
(21)申请号 202011311641.0
(22)申请日 2020.11.20
(71)申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限
文档评论（0）