在衬底中具有金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的非易失性存储器器件和集成方案.pdfVIP

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2023-05-10 发布于北京
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在衬底中具有金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的非易失性存储器器件和集成方案.pdf

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本发明涉及在衬底中具有金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的非易失性存储器器件和集成方案。提供了一种非易失性存储器器件。该非易失性存储器器件包括布置在第一有源区之上的浮置栅极，其中第一有源区位于衬底的有源层中。金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器可以与浮置栅极横向相邻地布置，其中金属‑绝缘体‑金属电容器的一部分位于有源层中。接触柱可以将金属‑绝缘体‑金属电容器的第一电极连接到浮置栅极。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114530453 A (43)申请公布日 2022.05.24 (21)申请号 202111149945.6 (22)申请日 2021.09.29 (30)优先权数据 17/100954 2020.