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- 2023-05-10 发布于四川
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一种存储单元、掩膜版以及SRAM器件，存储单元包括：基底，基底包括沿第一方向并行排布的电源区、位线区和接地区，且在第二方向上，位线区位于电源区和接地区之间，第二方向和第一方向垂直；位线金属层，位于位线区，且位线金属层沿第一方向延伸；多个分立的接地金属层，沿第一方向排布于接地区；多个分立的电源金属层，沿第一方向排布于电源区。本申请实施例中，在第一方向上，多个电源金属层间隔排布，电源金属层呈岛状(island)，与位线金属层之间的空间更大，从而多个间隔排布的电源金属层与位线金属层的电容耦合效应较弱，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114520230 A
(43)申请公布日 2022.05.20
(21)申请号 202011311964.X
(22)申请日 2020.11.20
(71)申请人 中芯国际集成电路制
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