1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

半导体结构的制作方法及半导体结构.pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约2.41万字
  • 约 25页
  • 2023-05-11 发布于四川
  • 举报

半导体结构的制作方法及半导体结构.pdf

    本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构的制作方法包括：提供衬底；去除部分衬底，形成多个有源柱，在第一方向上任意相邻的两个有源柱被隔开；形成多条沿第一方向延伸的位线，每条位线包覆位于其延伸方向上的每个有源柱的底部区域的部分侧壁。在本公开的半导体结构的制作方法，简化了形成位线的工艺制程，形成的位线环绕覆盖有源柱的周向的部分侧壁，提高了位线与有源柱的接触面积，减小了位线和有源柱的接触电阻，提高了半导体结构的电性能。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114582808 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202210190379.1 (22)申请日 2022.02.28 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 230

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >