具有去耦合单元的半导体元件及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-11 发布于四川
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具有去耦合单元的半导体元件及其制备方法.pdf

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本公开提供一种具有一去耦合单元的半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一基底，包括一阵列区以及一周围区，该周围区邻近该阵列区设置；一第一去耦合单元，位于该基底的该周围区中；一存储单元，位于该基底的该阵列区中；一重分布结构，位于该基底的该周围区与该阵列区上；一中间隔离层，位于在该周围区中的该重分布结构上；以及一上导电层，位于该中间隔离层上。在该周围区上的该重分布结构、该中间隔离层以及该上导电层一起配置成一第二去耦合单元。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114582821 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202111031795.9 (22)申请日 2021.09.03 (30)优先权数据