半导体设备及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-11 发布于四川
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半导体设备及其制造方法.pdf

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本申请涉及半导体设备及其制造方法。根据本公开的一个实施例的半导体设备，包括：导电区域、位于导电区域终止的部分处的末端区域，以及位于导电区域与末端区域之间的连接区域。导电区域包括：n+型衬底；n‑型层，该n‑型层位于n+型衬底的第一表面处；以及p型区域，该p型区域位于n‑型层上，以及栅电极，该栅电极填充穿透p型区域并位于n‑型层中的沟槽的内侧，并且位于导电区域终止的部分处的沟槽的侧壁是倾斜的。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114582951 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202111055745.4 H01L 21/336 (2006.01) (22)申请日 2021.09