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本发明公开了一种基于金刚石超晶格结构的半导体的制备方法及器件，其中的方法包括如下步骤：在单晶金刚石衬底上多次交替生长金刚石P型掺杂层和本征金刚石层，形成超晶格半导体结构层；金刚石P型掺杂层和本征金刚石层的生长过程中，生长气体中甲烷所占的比例在3％～7％之间；在超晶格半导体结构层的器件表面形成氢终端；器件表面为超晶格半导体结构层中远离单晶金刚石衬底的本征金刚石层表面；在超晶格半导体结构层的器件表面上生长导电电极。本发明中的方法，能够减小制备得到的半导体器件内的位错，且能够提高其击穿电压较，减小其寄
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116092945 A
(43)申请公布日 2023.05.09
(21)申请号 202310312086.0 H01L 21/04 (2006.01)
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