形成超高密度嵌入式半导体管芯封装的半导体器件和方法.pdfVIP

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2023-05-11 发布于四川
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形成超高密度嵌入式半导体管芯封装的半导体器件和方法.pdf

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本发明涉及形成超高密度嵌入式半导体管芯封装的半导体器件和方法。半导体器件具有多个半导体管芯。第一预制绝缘膜被布置在半导体管芯上。在第一预制绝缘膜上形成导电层。在半导体管芯和第一预制绝缘膜上形成互连结构。在半导体管芯上层压第一预制绝缘膜。第一预制绝缘膜包括玻璃布料、玻璃纤维或玻璃填料。半导体管芯被嵌入第一预制绝缘膜内，其中第一预制绝缘膜覆盖半导体管芯的第一表面和侧表面。互连结构被形成在与第一表面相对的半导体管芯的第二表面上。在半导体管芯上布置第一预制绝缘膜之后，去除第一预制绝缘膜的一部分。在第一预

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 110010553 A (43)申请公布日 2019.07.12 (21)申请号 20191