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一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga2O3 Cascode功率器件.pdfVIP

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  • 2023-05-11 发布于四川
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一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga2O3 Cascode功率器件.pdf

    本发明公开了一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga2O3Cascode功率器件，低压增强型GaNHEMT的漏极Drain2和高压耗尽型Ga2O3FET的源极Source1相连通，低压增强型GaNHEMT的源极Source2和高压耗尽型Ga2O3FET的栅极Gate1相连通，低压增强型GaNHEMT和高压耗尽型Ga2O3FET之间连通的方式通过将各个外延片结构之间的相互印刷转移，形成单片集成。本发明采用上述结构的一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga2O3Cascode功率器件，实现新型

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114582861 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202210221675.3 H01L 21/8258 (2006.01) (

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