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本发明属于晶圆蚀刻技术领域，特别涉及一种高精度晶圆化学液蚀刻装置，其结构包括第一调位驱动器；第二调位驱动器，其与第一调位驱动器的输出轴固定连接；第一旋转驱动器，其与第二调位驱动器的输出轴固定连接；本发明具有以下有益效果，刻蚀液在线状通孔处均匀喷出，整体冲击力、接触量均相同，效率、精度高；刻蚀反应物可直接脱出，不会滞留在晶圆主体处；槽板顶端的凹槽形成留液空间，使得晶圆主体可浸泡在刻蚀液当中，提高利用率，并进一步提高刻蚀效率；清洗液在喷头处向上喷出，进行清洗晶圆主体，减少过度刻蚀，提高精度、结构简便
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116092986 A
(43)申请公布日 2023.05.09
(21)申请号 202310388003.6
(22)申请日 2023.04.12
(71)申请人 福建安芯半导体科技有限公司
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