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- 2023-05-11 发布于四川
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本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其磁控管机构。该磁控管机构应用于半导体工艺设备,包括:背板、外磁极、内磁极及导磁组件;外磁极设置于背板的底面上,并且在底面上围成一容置空间;内磁极设置于背板的底面上,并且位于容置空间内;导磁组件为导磁材质制成,导磁组件设置于背板的底面上,并且位于两相邻的外磁极及内磁极之间,用于引导磁场强度均匀分布。本申请实施例实现了在外磁极及内磁极之间形成较均匀分布的水平磁场,使得靶材附近的磁感应线基本与靶材平行,大幅提高了靶材的利用率,尤其对于钛或金等贵金属靶材的情况,进
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114582690 A
(43)申请公布日 2022.06.03
(21)申请号 202210198432.2
(22)申请日 2022.03.02
(71)申请人 北京北方华创微电子装备有限公司
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