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一种GaN半桥功率模块集成封装结构及其封装方法.pdfVIP

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  • 2023-05-11 发布于四川
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一种GaN半桥功率模块集成封装结构及其封装方法.pdf

    本发明提供了一种GaN半桥功率模块集成封装结构及其封装方法，包括：陶瓷基板，陶瓷基板的上表面覆有顶部覆铜层，陶瓷基板的下表面覆有底部覆铜层，陶瓷基板的上表面开设有芯片嵌入槽，陶瓷基板上还开设有多个通孔，顶部覆铜层和底部覆铜层通过通孔的孔壁电连接；功率模块，功率模块包括第一功率芯片、第二功率芯片和去耦电容，第一功率芯片和第二功率芯片均嵌入芯片嵌入槽内，去耦电容安装于陶瓷基板的上表面；外接端子，外接端子包括母线电压正极端子、母线电压负极端子、功率输出端子、第一栅极端子、第一源极端子、第二栅极端子和第

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116093033 A (43)申请公布日 2023.05.09 (21)申请号 202310073681.3 H01L 23/66 (2006.01)

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