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基于准连续域束缚态的高Q值折射率传感器及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-11 发布于四川
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基于准连续域束缚态的高Q值折射率传感器及其制备方法.pdf

    本发明涉及超材料技术领域，具体涉及一种基于准连续域束缚态的高Q值折射率传感器及其制备方法。包括基底层和位于基底层上的全介质超表面结构阵列，全介质超表面结构阵列由若干个全介质超表面单元周期性排列形成，全介质超表面单元为方形块结构，方形块结构在沿x方向的一侧面上设有缺口，各方形块结构上设置的缺口的位置、朝向、形状和大小均相同，设有缺口的全介质超表面单元用于在沿x方向偏振的平面波正入射时，激发沿z方向的磁偶极矩，形成准连续域中的束缚态，并利用所述准连续域中的束缚态形成高Q值的谐振腔。本发明通过破坏结构

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114577753 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202210206357.X (22)申请日 2022.03.02 (71)申请人 武汉理工大学 地址 430070

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