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- 2023-05-11 发布于四川
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本发明涉及一种低界面态密度碳化硅功率半导体器件的制备方法。按照本发明提供的技术方案，一种低界面态密度碳化硅功率半导体器件的制备方法，提供碳化硅晶片、制备于所述碳化硅晶片正面上的氧化膜以及制备于所述氧化膜上的正面元胞结构；在碳化硅晶片上氧化膜，包括如下步骤：步骤1、采用热氧化工艺在碳化硅晶片上制备得到氧化底膜，并对所述碳化硅晶片以及氧化底膜进行所需的氧化后退火工艺；步骤2、在上述氧化底膜上制备所需的硅膜层，所述硅膜层覆盖在氧化底膜上；步骤3、对硅膜层进行热氧化，并热氧化退火后，制备得到覆盖于碳化硅
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114582712 A
(43)申请公布日 2022.06.03
(21)申请号 202210207129.4
(22)申请日 2022.03.03
(71)申请人 江苏中科汉韵半导体有限公司
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