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本发明公开了一种具有高分辨率的光谱测量元器件及远场光谱测量方法,测量元器件包括二氧化硅基底层、高低折射率交替光子晶体层、高折射率调制层、低折射率缺陷层。远场待测光源激发元器件表面的布洛赫表面波后,用CCD成像器件记录反射光信号;然后改变元器件表面的环境,再次记录反射光信号。依据上述两次信号差分结果得到空间上不同位置的相对强度分布。再依据CCD成像器件和元器件之间所处的具体几何位置关系以及元器件自身结构的色散关系,将空间上不同位置的相对强度分布换算成波长间的相对强度关系,即远场待测光源的光谱。本发
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116086611 A
(43)申请公布日 2023.05.09
(21)申请号 202310055697.1
(22)申请日 2023.01.19
(71)申请人 南京理工大学
地址 210094
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