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本申请提供一种阵列基板制备方法、阵列基板及显示装置，所述阵列基板制作方法包括在衬底上制备驱动电路层，在驱动电路层上制备第一钝化层，在第一钝化层上制备原始金属层，在原始金属层上制备氧源层，热处理所述原始金属层和所述氧源层，所述原始金属层被氧化得到第二钝化层。所述阵列基板制备方法操作方便，便于制备大尺寸金属氧化物钝化层，满足当前大尺寸薄膜晶体管器件的制备需求，且制得的钝化层具有双层结构，提升了钝化层阻隔水氧的能力。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112687554 A
(43)申请公布日 2021.04.20
(21)申请号 202011578468.0 H01L 27/32 (2006.01)
(22)申请日 2
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