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本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法和存储器，包括：提供衬底；于衬底上形成隔离层；于隔离层中形成沿第一方向延伸的第一牺牲层和第二牺牲层，且第一牺牲层至少部分包裹第二牺牲层；沿第二方向去除部分第一牺牲层和部分隔离层，形成字线沟槽；于字线沟槽内形成第三牺牲层；其中，第二牺牲层、第三牺牲层、被保留的隔离层和第一牺牲层构成一层堆叠层；继续形成若干层堆叠层，以形成包括至少一层堆叠层的堆叠结构；去除堆叠结构中的第三牺牲层，以暴露字线沟槽；于字线沟槽中形成字线结构。本公开实施例能够简化制备水平字线的工艺
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116096086 A
(43)申请公布日 2023.05.09
(21)申请号 202310239031.1
(22)申请日 2023.03.08
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
地址 23
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