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一种非标规格半导体基片的曝光方法及装置.pdfVIP

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  • 2023-05-11 发布于四川
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一种非标规格半导体基片的曝光方法及装置.pdf

    本申请提供了一种非标规格半导体基片的曝光方法及装置，首次曝光时，基于待曝光基片的轮廓信息，确定待曝光表面中的最大内接矩形；基于最大内接矩形的尺寸和曝光单元的尺寸，确定有效曝光区域和曝光单元的布局数据；选择有效曝光区域的指定方位上的顶点作为起始曝光标记点，基于起始曝光标记点和有效曝光区域的其余方位上的顶点构建标记点数据；根据曝光单元的布局数据、标记点数据和预设曝光方向，采用S型路径算法，确定待曝光基片的曝光路径；按照曝光路径，从起始曝光标记点开始在有效曝光区域内对待曝光基片进行曝光。本申请根据基片

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114578660 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202210221959.2 (22)申请日 2022.03.09 (71)申请人 北京半导体专用设备研究所（中国

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