1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种外延结构及其外延生长方法、LED芯片.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约8.14千字
  • 约 8页
  • 2023-05-11 发布于四川
  • 举报

一种外延结构及其外延生长方法、LED芯片.pdf

    本发明提供一种外延结构及其外延生长方法、LED芯片，外延结构包括衬底、外延生长于衬底上的N型覆盖层、以及外延生长于N型覆盖层上的多量子阱层，多量子阱层包括多对交替生长的量子阱层和量子垒层；其中，N型覆盖层的Si掺浓度大于3e17，并且量子阱层和量子垒层的对数随N型覆盖层的Si掺浓度的增加而增加。此外，本发明通过增加N型覆盖层的Si掺浓度，提高了N层载流子浓度，这样在同等条件下，载流子迁移机率增加，使得外延PN结复合效率上升。此外，随着N型覆盖层的掺杂浓度的增加，还让多量子阱层同步增加垒和阱的对数

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114583024 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202210199467.8 H01L 33/14 (2010.01) (22)申请日 2022.03.

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >