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本发明涉及一种掩模缺陷检测装置、掩模缺陷检测系统以及光刻机系统,其中掩模缺陷检测装置包括:壳体,壳体内部具有真空腔;掩模,设于真空腔内;平面反射镜,设于真空腔内且位于掩模的一侧的,平面反射镜用于反射极紫外光束并使其垂直照射在掩模上;退相干反射组件,设于真空腔内,退相干反射组件用于将射入真空腔的极紫外光束退相干后反射至平面反射镜;成像装置,成像装置具有成像平面;反射光采集装置,用于采集由掩模上的缺陷反射出的极紫外光束并输出至成像平面,在成像平面生成亮点。本发明提出的掩模缺陷检测装置可以采用以新型粒
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114563348 A
(43)申请公布日 2022.05.31
(21)申请号 202210096352.6
(22)申请日 2022.01.26
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
地址 10
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