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2023-05-11 发布于四川
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提供提高了恢复动作时的破坏耐量的半导体装置。本发明涉及的半导体装置(100)所具有的绝缘栅型双极晶体管区域(1)在沿半导体基板的第1主面的第1方向上与二极管区域(2)并列地配置，具有：第2导电型的基极层(9)，设置于半导体基板的第1主面侧的表层；第1导电型的发射极层(8)，选择性地设置于基极层(9)的第1主面侧的表层，杂质浓度比漂移层高；栅极电极(7a)，在第1方向上并列配置有多个，隔着栅极绝缘膜(6a)而面向发射极层、基极层和漂移层；反掺杂层(10)，设置于基极层的表层，第2导电型的杂质浓度比

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114566537 A (43)申请公布日 2022.05.31 (21)申请号 202111403636.7 (22)申请日 2021.11.22 (30)优先权数据