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- 2023-05-11 发布于四川
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一种非易失的多态电化学存储器及其加工方法，存储器包括设置在衬底上的源极、漏极、栅极与电解质层；源极作为底电极，漏极作为顶电极，在源极与漏极之间设置聚合物半导体沟道形成一个正立的三明治结构；栅极设置在三明治结构的侧面，栅极与衬底的表面之间设置聚合物半导体沟道；电解质层由上至下将栅极、三明治结构及栅极与三明治结构之间的空隙覆盖和填充；栅极连接写入脉冲电路，漏极接读取脉冲电路，通过获得读取电流，计算得到存储电导值。加工方法包括使用溶液加工法沉积聚合物半导体沟道、增强沟道的沟道结晶，以及使用反应离子刻蚀
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114582395 A
(43)申请公布日 2022.06.03
(21)申请号 202210212715.8
(22)申请日 2022.03.04
(71)申请人 西安交通大学
地址 710049
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