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- 2023-05-11 发布于四川
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本发明公开了一种在Ⅲ族氮化物半导体上制备钝化膜的方法，包括以下制备步骤：S10：在基底表面沉积一层金属铝薄膜，得第一中间体；其中，所述基底为Ⅲ族氮化物半导体裸晶片，或，所述基底为预先在Ⅲ族氮化物半导体裸晶片上沉积有金属电极的复合晶片；S20：将所述第一中间体送入氧气环境或干燥的压缩空气环境中高温退火氧化铝，使基底上的金属铝薄膜与氧气反应生成氧化铝介质膜，得第二中间体。本发明还公开了一种通过上述制备方法获得的钝化膜。与现有技术相比，本发明的制备方法简单可靠、成本低，改善了钝化膜的抗耐压和低漏电特性
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114582740 A
(43)申请公布日 2022.06.03
(21)申请号 202210168314.7
(22)申请日 2022.02.23
(71)申请人 中山大学
地址 510275 广
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